電離圏下部を支配する
反応式
H
+
+ H
2
→
H + H
2
+
R7
H3+
の日変化の原因
H
2
+
+ H
2
→
H + H
3
+
R16
反応が遅いため，電離
圏上部の主成分になる
H
+
+ e
→
H
R6
2004
ＤＭ２ゼミ
l
木星電離圏形成の主な反応式
光化学反応式の整理
