2004
DM2ゼミ
1)
電離圏の主成分は
800km
以下では
H
3
+
が,それ以上
では
H
+
が支配的である.
2)
H
3
+
は
H
2
+
からの光化学過程で生成され,大きな日変
化を示す.
l
3)
H
+
は水素ガスの電離によって生成される.
H
3
+
より軽
い
H
+
は
H
3
+
の上層に分布する.この領域では
H
+
と
電子の再結合係数が小さいため,電離圏上部に多量
の
H
+
が存在し,明瞭な日変化を示さない.しかし,大
気温度の日変化によって電離圏上部の密度勾配は変
化する.
3.計算結果(まとめ)